طراحی مدارهای سوئیچ شونده خازنی در ابعاد نانومتری در تکنولوژی cmos مبتنی بر ساختار cbsc

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده برق و کامپیوتر
  • نویسنده علی رضا ملکی
  • استاد راهنما پرویز امیری
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1392
چکیده

در ساختار مدار¬های cbsc مقایسه کننده و منبع جریان جایگزین تقویت کننده¬ی عملیاتی شده و احتیاج به تقویت کننده¬ی عملیاتی با بهره بالا از مسیر سیگنال حذف می¬شود. به منظور بهبود موازنه¬ی بین سرعت و دقت در مدار¬های cbsc، از منبع جریان کنترل شونده با ولتاژ به¬جای منبع جریان ثابت استفاده می¬شود. برای افزایش هر چه بیشتر سرعت در مدار¬های cbsc ایده¬ی ترکیب منابع جریان ثابت و متغیر با ولتاژ مطرح شده است.سرعت مدار cbsc با ایده¬ی فوق نسبت به مدار cbsc با منبع جریان متغیر، 22 نانو ثانیه افزایش یافته، در صورتیکه خطای حالت دائم هر دو ساختار 18 میلی ولت است.مدار cbsc با ایده-ی فوق، 890 میکرو وات و مدار cbsc با منبع جریان متغیر 540 میکرو وات توان مصرف می¬کنند.نتایج حاصل از شبیه سازی ساختار¬های مختلف مدار cbsc نشان می¬دهند که با استفاده از ایده¬ی ترکیب منابع جریان ثابت و متغیر می¬توان تا حدود زیادی موازنه¬ی بین سرعت و دقت را در مدار¬های cbsc بهبود داد.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی مدارهای cmos نانومتری مقاوم در برابر اثرات گذر زمان

کاهش سریع اندازه عناصر ‏cmos‏ نگرانی های جدیدی در رابطه با قابلیت اطمینان ‏ مدارها ایجاد کرده ‏است که از مهمترین اینها می توان پدیده ناپایداری ناشی از بایاس منفی و دما ‏‎(nbti)‎ ‏ را نام برد. این ‏پدیده ترانزیستورهای ‏pmos‏ را تحت تأثیر قرار می دهد و سبب افول عملکرد ‏ مدار می شود. بعد از ‏nbti، پدیده‎ ‎های تزریق حاملهای داغ‎(hci) ‎ ‏ و شکست دی الکتریک وابسته به زمان ‏‎(tddb)‎ ‏ نیز تأثیر ‏بسزای...

15 صفحه اول

تعیین مکان بانک های خازنی سوئیچ شونده در سیستم توزیع

امروزه بانک های خازنی به طور گسترده در سیستم های توزیع استفاده می شود. از جمله مشکلات مربوط به کلید زنی خازنی می توان به هارمونیک رزونانس، اضافه ولتاژ گذرا و تریپ درایوهای سرعت اشاره کرد. با پیشرفت صنعت و به کارگیری تجهیزات الکترونیک، بارهای مصرف کننده حساس تر شدند و تحت تاثیر اغتشاش ناشی از کلید زنی خازنی قرار می گیرند. از این رو باید اغتشاشات ناشی از کلید زنی بانک های خازنی که از مهم ترین اغت...

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

طراحی، شبیه‌سازی و ساخت سوئیچ خازنی RF MEMSبر روی بستر آلومینا

In this paper, design, analysis and fabrication of a low loss capacitive RF MEMS shunt switch, which made on the coplanar waveguide transmission line and alumina substrate in the frequency band of 40-60 GHz, is presented. The CPW is designed to have 50Ω impedance matching on the alumina substrate. Then the desired switch is designed with appropriate dimensions. Afterward the important par...

متن کامل

طراحی تقویت‌کننده توان دوبانده همزمان با سوئیچ فعال در 9/0/2/4 گیگاهرتز در پروسه 0.18μmRF CMOS

چکیده: در این مقاله، تقویت­‌کننده توان دوبانده با توان خروجی بالا در پروسه استاندارد 0.18μm CMOS  برای کدخوان RFID ارائه شده است. تقویت‌­کننده توان در دو باند فرکانسی GHz9/0 و GHz4/2 به‌طور همزمان کار می‌­کند. برای رسیدن به قابلیت خط­‌سانی و توان خروجی بالا از ترکیب کردن چندین تقویت‌­کننده کلاس AB استفاده شده است. تقویت‌­کننده توان پیشنهادی شامل چهار بخش پیش تقویت‌­کننده، تقویت‌کننده تـوان اصلی...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده برق و کامپیوتر

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023